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Trabalho de evento-resumo
Observation of weak antilocalization effects in HgTe double wells with massive Dirac fermions (2022)
Kawahala, Nícolas Massarico; Gusev, Guennadii Michailovich ; Hernandez, F G G; Raichev, O E; Olshanetsky, E B; Mikhailov, N N; Dvoretsky, S A
Source: Resumos. Conference titles: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física. Unidade: IF
Assunto: FÉRMIO
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ABNT
KAWAHALA, Nícolas Massarico et al. Observation of weak antilocalization effects in HgTe double wells with massive Dirac fermions. 2022, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2022. . Acesso em: 20 maio 2024.
APA
Kawahala, N. M., Gusev, G. M., Hernandez, F. G. G., Raichev, O. E., Olshanetsky, E. B., Mikhailov, N. N., & Dvoretsky, S. A. (2022). Observation of weak antilocalization effects in HgTe double wells with massive Dirac fermions. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Kawahala NM, Gusev GM, Hernandez FGG, Raichev OE, Olshanetsky EB, Mikhailov NN, Dvoretsky SA. Observation of weak antilocalization effects in HgTe double wells with massive Dirac fermions. Resumos. 2022 ;[citado 2024 maio 20 ]
Vancouver
Kawahala NM, Gusev GM, Hernandez FGG, Raichev OE, Olshanetsky EB, Mikhailov NN, Dvoretsky SA. Observation of weak antilocalization effects in HgTe double wells with massive Dirac fermions. Resumos. 2022 ;[citado 2024 maio 20 ]
Trabalho de evento-resumo
Thermoelectric phenomena in 2D e 3D topological insulators (2022)
Levin, A D ; Gusev, Guennadii Michailovich ; Raichev, O E; Olshanetsky, E B; Kvon, Z D; Mikhailov, N N; Dvoretsky, S A
Source: Resumos. Conference titles: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física. Unidade: IF
Assunto: TERMOELETRICIDADE
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ABNT
LEVIN, A D et al. Thermoelectric phenomena in 2D e 3D topological insulators. 2022, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2022. . Acesso em: 20 maio 2024.
APA
Levin, A. D., Gusev, G. M., Raichev, O. E., Olshanetsky, E. B., Kvon, Z. D., Mikhailov, N. N., & Dvoretsky, S. A. (2022). Thermoelectric phenomena in 2D e 3D topological insulators. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Levin AD, Gusev GM, Raichev OE, Olshanetsky EB, Kvon ZD, Mikhailov NN, Dvoretsky SA. Thermoelectric phenomena in 2D e 3D topological insulators. Resumos. 2022 ;[citado 2024 maio 20 ]
Vancouver
Levin AD, Gusev GM, Raichev OE, Olshanetsky EB, Kvon ZD, Mikhailov NN, Dvoretsky SA. Thermoelectric phenomena in 2D e 3D topological insulators. Resumos. 2022 ;[citado 2024 maio 20 ]
Artigo de periodico
Engineering topological phases in triple HgTe/CdTe quantum wells (2022)
Ferreira, G J; Candido, D R; Hernandez, Felix Guillermo Gonzalez ; Gusev, Gennady ; Olshanetsky, E B; Mikhailov, N N; Dvoretsky , S A
Source: Scientific Reports. Unidade: IF
Assunto: POÇOS QUANTICOS
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ABNT
FERREIRA, G J et al. Engineering topological phases in triple HgTe/CdTe quantum wells. Scientific Reports, v. 12, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1038/s41598-022-06431-0. Acesso em: 20 maio 2024.
APA
Ferreira, G. J., Candido, D. R., Hernandez, F. G. G., Gusev, G., Olshanetsky, E. B., Mikhailov, N. N., & Dvoretsky , S. A. (2022). Engineering topological phases in triple HgTe/CdTe quantum wells. Scientific Reports, 12. doi:10.1038/s41598-022-06431-0
NLM
Ferreira GJ, Candido DR, Hernandez FGG, Gusev G, Olshanetsky EB, Mikhailov NN, Dvoretsky SA. Engineering topological phases in triple HgTe/CdTe quantum wells [Internet]. Scientific Reports. 2022 ; 12[citado 2024 maio 20 ] Available from: https://doi.org/10.1038/s41598-022-06431-0
Vancouver
Ferreira GJ, Candido DR, Hernandez FGG, Gusev G, Olshanetsky EB, Mikhailov NN, Dvoretsky SA. Engineering topological phases in triple HgTe/CdTe quantum wells [Internet]. Scientific Reports. 2022 ; 12[citado 2024 maio 20 ] Available from: https://doi.org/10.1038/s41598-022-06431-0
Artigo de periodico
Microwave Photoresistance of a Two-Dimensional Topological Insulator in a HgTe Quantum Well (2020)
Yaroshevich, A S; Kvon, Z D; Gusev, G M ; Mikhailov, N N
Source: JETP Letters. Unidade: IF
Assunto: POÇOS QUÂNTICOS
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ABNT
YAROSHEVICH, A S et al. Microwave Photoresistance of a Two-Dimensional Topological Insulator in a HgTe Quantum Well. JETP Letters, v. 111, n. 2, p. 121–125, 2020Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1134/S0021364020020113. Acesso em: 20 maio 2024.
APA
Yaroshevich, A. S., Kvon, Z. D., Gusev, G. M., & Mikhailov, N. N. (2020). Microwave Photoresistance of a Two-Dimensional Topological Insulator in a HgTe Quantum Well. JETP Letters, 111( 2), 121–125. doi:10.1134/S0021364020020113
NLM
Yaroshevich AS, Kvon ZD, Gusev GM, Mikhailov NN. Microwave Photoresistance of a Two-Dimensional Topological Insulator in a HgTe Quantum Well [Internet]. JETP Letters. 2020 ;111( 2): 121–125.[citado 2024 maio 20 ] Available from: https://doi.org/10.1134/S0021364020020113
Vancouver
Yaroshevich AS, Kvon ZD, Gusev GM, Mikhailov NN. Microwave Photoresistance of a Two-Dimensional Topological Insulator in a HgTe Quantum Well [Internet]. JETP Letters. 2020 ;111( 2): 121–125.[citado 2024 maio 20 ] Available from: https://doi.org/10.1134/S0021364020020113
Artigo de periodico
Topological insulators based on HgTe (2020)
Kvon, Z D; Kozlov, D A; Olshanetsky, E B; Gusev, G M ; Mikhailov, N N; Dvoretsky, S A
Source: Physics Uspekhi. Unidade: IF
Assunto: POÇOS QUÂNTICOS
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ABNT
KVON, Z D et al. Topological insulators based on HgTe. Physics Uspekhi, v. 63, n. 7, p. 629-647, 2020Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.3367/UFNe.2019.10.038669. Acesso em: 20 maio 2024.
APA
Kvon, Z. D., Kozlov, D. A., Olshanetsky, E. B., Gusev, G. M., Mikhailov, N. N., & Dvoretsky, S. A. (2020). Topological insulators based on HgTe. Physics Uspekhi, 63( 7), 629-647. doi:10.3367/UFNe.2019.10.038669
NLM
Kvon ZD, Kozlov DA, Olshanetsky EB, Gusev GM, Mikhailov NN, Dvoretsky SA. Topological insulators based on HgTe [Internet]. Physics Uspekhi. 2020 ; 63( 7): 629-647.[citado 2024 maio 20 ] Available from: https://doi.org/10.3367/UFNe.2019.10.038669
Vancouver
Kvon ZD, Kozlov DA, Olshanetsky EB, Gusev GM, Mikhailov NN, Dvoretsky SA. Topological insulators based on HgTe [Internet]. Physics Uspekhi. 2020 ; 63( 7): 629-647.[citado 2024 maio 20 ] Available from: https://doi.org/10.3367/UFNe.2019.10.038669
Artigo de periodico
Energy relaxation of hot carriers near the charge neutrality point in HgTe-based 2D topological insulators (2019)
Rahim, Abdur; Gusev, G M ; Kvonc, Z D; Olshanetsky, E B; Mikhailov, N N; Dvoretsky, S A
Source: Microelectronic Engineering. Unidade: IF
Subjects: PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, NANOTECNOLOGIA
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ABNT
RAHIM, Abdur et al. Energy relaxation of hot carriers near the charge neutrality point in HgTe-based 2D topological insulators. Microelectronic Engineering, v. 206, p. 55-59, 2019Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mee.2018.12.011. Acesso em: 20 maio 2024.
APA
Rahim, A., Gusev, G. M., Kvonc, Z. D., Olshanetsky, E. B., Mikhailov, N. N., & Dvoretsky, S. A. (2019). Energy relaxation of hot carriers near the charge neutrality point in HgTe-based 2D topological insulators. Microelectronic Engineering, 206, 55-59. doi:10.1016/j.mee.2018.12.011
NLM
Rahim A, Gusev GM, Kvonc ZD, Olshanetsky EB, Mikhailov NN, Dvoretsky SA. Energy relaxation of hot carriers near the charge neutrality point in HgTe-based 2D topological insulators [Internet]. Microelectronic Engineering. 2019 ; 206 55-59.[citado 2024 maio 20 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mee.2018.12.011
Vancouver
Rahim A, Gusev GM, Kvonc ZD, Olshanetsky EB, Mikhailov NN, Dvoretsky SA. Energy relaxation of hot carriers near the charge neutrality point in HgTe-based 2D topological insulators [Internet]. Microelectronic Engineering. 2019 ; 206 55-59.[citado 2024 maio 20 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mee.2018.12.011
Artigo de periodico
Thermoelectric transport in two-dimensional topological insulator state based on HgTe quantum well (2019)
Gusev, G M ; Raichev, O E; Olshanetsky, E B; Levin, A D ; Kvon, Z D; Mikhailov, N N; Dvoretsky, S A
Source: 2D Materials. Unidade: IF
Subjects: TERMOELETRICIDADE, CONDUTIVIDADE ELÉTRICA, POÇOS QUÂNTICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GUSEV, G M et al. Thermoelectric transport in two-dimensional topological insulator state based on HgTe quantum well. 2D Materials, v. 6, n. 014001, p. 1-21, 2019Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/2053-1583/aaf702. Acesso em: 20 maio 2024.
APA
Gusev, G. M., Raichev, O. E., Olshanetsky, E. B., Levin, A. D., Kvon, Z. D., Mikhailov, N. N., & Dvoretsky, S. A. (2019). Thermoelectric transport in two-dimensional topological insulator state based on HgTe quantum well. 2D Materials, 6( 014001), 1-21. doi:10.1088/2053-1583/aaf702
NLM
Gusev GM, Raichev OE, Olshanetsky EB, Levin AD, Kvon ZD, Mikhailov NN, Dvoretsky SA. Thermoelectric transport in two-dimensional topological insulator state based on HgTe quantum well [Internet]. 2D Materials. 2019 ; 6( 014001): 1-21.[citado 2024 maio 20 ] Available from: https://doi.org/10.1088/2053-1583/aaf702
Vancouver
Gusev GM, Raichev OE, Olshanetsky EB, Levin AD, Kvon ZD, Mikhailov NN, Dvoretsky SA. Thermoelectric transport in two-dimensional topological insulator state based on HgTe quantum well [Internet]. 2D Materials. 2019 ; 6( 014001): 1-21.[citado 2024 maio 20 ] Available from: https://doi.org/10.1088/2053-1583/aaf702
Artigo de periodico
Robust helical edge transport at 'nü' = 0 quantum Hall state (2017)
Gusev, Guennadii Michailovich; Kozlov, D A; Levin, Alexander D; Kvon, Z D; Mikhailov, N N; Dvoretsky, S A
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GUSEV, Guennadii Michailovich et al. Robust helical edge transport at 'nü' = 0 quantum Hall state. Physical Review B, v. 96, n. 4, p. 045304/1-045304/5, 2017Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.96.045304. Acesso em: 20 maio 2024.
APA
Gusev, G. M., Kozlov, D. A., Levin, A. D., Kvon, Z. D., Mikhailov, N. N., & Dvoretsky, S. A. (2017). Robust helical edge transport at 'nü' = 0 quantum Hall state. Physical Review B, 96( 4), 045304/1-045304/5. doi:10.1103/PhysRevB.96.045304
NLM
Gusev GM, Kozlov DA, Levin AD, Kvon ZD, Mikhailov NN, Dvoretsky SA. Robust helical edge transport at 'nü' = 0 quantum Hall state [Internet]. Physical Review B. 2017 ;96( 4): 045304/1-045304/5.[citado 2024 maio 20 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.96.045304
Vancouver
Gusev GM, Kozlov DA, Levin AD, Kvon ZD, Mikhailov NN, Dvoretsky SA. Robust helical edge transport at 'nü' = 0 quantum Hall state [Internet]. Physical Review B. 2017 ;96( 4): 045304/1-045304/5.[citado 2024 maio 20 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.96.045304
Relatorio tecnico
The resistance of 2D Topological insulator in the absence of the quantized transport (2013)
Gusev, Guennadii Michailovich; Kvon, Z D; Olshanetsky, E B; Levine, Alexandre; Krupko, Y; Portal, J C; Mikhailov, N N; Dvoretsky, S A
Unidade: IF
Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, SEMICONDUTORES, MAGNETISMO (RESISTÊNCIA)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GUSEV, Guennadii Michailovich et al. The resistance of 2D Topological insulator in the absence of the quantized transport. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: http://lanl.arxiv.org/pdf/1308.4356v1.pdf. Acesso em: 20 maio 2024. , 2013
APA
Gusev, G. M., Kvon, Z. D., Olshanetsky, E. B., Levine, A., Krupko, Y., Portal, J. C., et al. (2013). The resistance of 2D Topological insulator in the absence of the quantized transport. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://lanl.arxiv.org/pdf/1308.4356v1.pdf
NLM
Gusev GM, Kvon ZD, Olshanetsky EB, Levine A, Krupko Y, Portal JC, Mikhailov NN, Dvoretsky SA. The resistance of 2D Topological insulator in the absence of the quantized transport [Internet]. 2013 ;[citado 2024 maio 20 ] Available from: http://lanl.arxiv.org/pdf/1308.4356v1.pdf
Vancouver
Gusev GM, Kvon ZD, Olshanetsky EB, Levine A, Krupko Y, Portal JC, Mikhailov NN, Dvoretsky SA. The resistance of 2D Topological insulator in the absence of the quantized transport [Internet]. 2013 ;[citado 2024 maio 20 ] Available from: http://lanl.arxiv.org/pdf/1308.4356v1.pdf
Relatorio tecnico
Transition from insulating to metallic phase induced by in-plane magnetic ﬁeld in HgTe quantum wells (2013)
Gusev, Guennadii Michailovich; Olshanetsky, E B; Kvon, Z D; Raichev, O E; Mikhailov, N N; Dvoretsky, S A
Unidade: IF
Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, SEMICONDUTORES, MAGNETISMO (RESISTÊNCIA)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GUSEV, Guennadii Michailovich et al. Transition from insulating to metallic phase induced by in-plane magnetic ﬁeld in HgTe quantum wells. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: http://lanl.arxiv.org/pdf/1311.6775v1.pdf. Acesso em: 20 maio 2024. , 2013
APA
Gusev, G. M., Olshanetsky, E. B., Kvon, Z. D., Raichev, O. E., Mikhailov, N. N., & Dvoretsky, S. A. (2013). Transition from insulating to metallic phase induced by in-plane magnetic ﬁeld in HgTe quantum wells. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://lanl.arxiv.org/pdf/1311.6775v1.pdf
NLM
Gusev GM, Olshanetsky EB, Kvon ZD, Raichev OE, Mikhailov NN, Dvoretsky SA. Transition from insulating to metallic phase induced by in-plane magnetic ﬁeld in HgTe quantum wells [Internet]. 2013 ;[citado 2024 maio 20 ] Available from: http://lanl.arxiv.org/pdf/1311.6775v1.pdf
Vancouver
Gusev GM, Olshanetsky EB, Kvon ZD, Raichev OE, Mikhailov NN, Dvoretsky SA. Transition from insulating to metallic phase induced by in-plane magnetic ﬁeld in HgTe quantum wells [Internet]. 2013 ;[citado 2024 maio 20 ] Available from: http://lanl.arxiv.org/pdf/1311.6775v1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Nonlocal transport near charge neutrality point in Two-dimensional topological insulator (2013)
Rahim, Ahmad Ali Abdul; Gusev, G M; Kvon, Z D; Mikhailov, N N; Dvoretsky, S A
Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RAHIM, Ahmad Ali Abdul et al. Nonlocal transport near charge neutrality point in Two-dimensional topological insulator. 2013, Anais.. São Carlos: UFSCar, 2013. Disponível em: http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/index.php?option=com_abstract&view=viewabstract&absid=75. Acesso em: 20 maio 2024.
APA
Rahim, A. A. A., Gusev, G. M., Kvon, Z. D., Mikhailov, N. N., & Dvoretsky, S. A. (2013). Nonlocal transport near charge neutrality point in Two-dimensional topological insulator. In . São Carlos: UFSCar. Recuperado de http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/index.php?option=com_abstract&view=viewabstract&absid=75
NLM
Rahim AAA, Gusev GM, Kvon ZD, Mikhailov NN, Dvoretsky SA. Nonlocal transport near charge neutrality point in Two-dimensional topological insulator [Internet]. 2013 ;[citado 2024 maio 20 ] Available from: http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/index.php?option=com_abstract&view=viewabstract&absid=75
Vancouver
Rahim AAA, Gusev GM, Kvon ZD, Mikhailov NN, Dvoretsky SA. Nonlocal transport near charge neutrality point in Two-dimensional topological insulator [Internet]. 2013 ;[citado 2024 maio 20 ] Available from: http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/index.php?option=com_abstract&view=viewabstract&absid=75
Relatorio tecnico
Quantum hall eﬀect in n-p-n and n-2D topological insulator-n junctions (2013)
Gusev, Guennadii Michailovich; Levine, Alexandre; Kvon, Z D; Mikhailov, N N; Dvoretsky, S A
Unidade: IF
Assunto: EFEITO HALL
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GUSEV, Guennadii Michailovich et al. Quantum hall eﬀect in n-p-n and n-2D topological insulator-n junctions. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: http://lanl.arxiv.org/pdf/1302.3523v1.pdf. Acesso em: 20 maio 2024. , 2013
APA
Gusev, G. M., Levine, A., Kvon, Z. D., Mikhailov, N. N., & Dvoretsky, S. A. (2013). Quantum hall eﬀect in n-p-n and n-2D topological insulator-n junctions. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://lanl.arxiv.org/pdf/1302.3523v1.pdf
NLM
Gusev GM, Levine A, Kvon ZD, Mikhailov NN, Dvoretsky SA. Quantum hall eﬀect in n-p-n and n-2D topological insulator-n junctions [Internet]. 2013 ;[citado 2024 maio 20 ] Available from: http://lanl.arxiv.org/pdf/1302.3523v1.pdf
Vancouver
Gusev GM, Levine A, Kvon ZD, Mikhailov NN, Dvoretsky SA. Quantum hall eﬀect in n-p-n and n-2D topological insulator-n junctions [Internet]. 2013 ;[citado 2024 maio 20 ] Available from: http://lanl.arxiv.org/pdf/1302.3523v1.pdf
Relatorio tecnico
Linear magnetoresistance in HgTe quantum wells (2013)
Gusev, Guennadii Michailovich; Olshanetsky, E B; Kvon, Z D; Mikhailov, N N; Dvoretsky, S A
Unidade: IF
Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, SEMICONDUTORES, MAGNETISMO (RESISTÊNCIA)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GUSEV, Guennadii Michailovich et al. Linear magnetoresistance in HgTe quantum wells. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: http://lanl.arxiv.org/pdf/1302.6754v1.pdf. Acesso em: 20 maio 2024. , 2013
APA
Gusev, G. M., Olshanetsky, E. B., Kvon, Z. D., Mikhailov, N. N., & Dvoretsky, S. A. (2013). Linear magnetoresistance in HgTe quantum wells. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://lanl.arxiv.org/pdf/1302.6754v1.pdf
NLM
Gusev GM, Olshanetsky EB, Kvon ZD, Mikhailov NN, Dvoretsky SA. Linear magnetoresistance in HgTe quantum wells [Internet]. 2013 ;[citado 2024 maio 20 ] Available from: http://lanl.arxiv.org/pdf/1302.6754v1.pdf
Vancouver
Gusev GM, Olshanetsky EB, Kvon ZD, Mikhailov NN, Dvoretsky SA. Linear magnetoresistance in HgTe quantum wells [Internet]. 2013 ;[citado 2024 maio 20 ] Available from: http://lanl.arxiv.org/pdf/1302.6754v1.pdf
Artigo de periodico
Nonlocal transport near charge neutrality point in a two-dimensional electron-hole system (2012)
Gusev, G M ; Olshanetsky, E B; Kvon, Z D; Mikhailov, N N; Dvoretsky, S A; Levin, A D
Source: Physical Review Letters. Unidade: IF
Assunto: CAMPO MAGNÉTICO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GUSEV, G M et al. Nonlocal transport near charge neutrality point in a two-dimensional electron-hole system. Physical Review Letters, v. 108, n. 22, p. 226804, 2012Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.108.226804. Acesso em: 20 maio 2024.
APA
Gusev, G. M., Olshanetsky, E. B., Kvon, Z. D., Mikhailov, N. N., Dvoretsky, S. A., & Levin, A. D. (2012). Nonlocal transport near charge neutrality point in a two-dimensional electron-hole system. Physical Review Letters, 108( 22), 226804. doi:10.1103/PhysRevLett.108.226804
NLM
Gusev GM, Olshanetsky EB, Kvon ZD, Mikhailov NN, Dvoretsky SA, Levin AD. Nonlocal transport near charge neutrality point in a two-dimensional electron-hole system [Internet]. Physical Review Letters. 2012 ;108( 22): 226804.[citado 2024 maio 20 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.108.226804
Vancouver
Gusev GM, Olshanetsky EB, Kvon ZD, Mikhailov NN, Dvoretsky SA, Levin AD. Nonlocal transport near charge neutrality point in a two-dimensional electron-hole system [Internet]. Physical Review Letters. 2012 ;108( 22): 226804.[citado 2024 maio 20 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.108.226804
Relatorio tecnico
Nonlocal transport near the charge neutrality point in a two-dimensional electron-hole system (2012)
Gusev, G M; Kvon, Z D; Mikhailov, N N; Dvoretsky, S A; Olshanetsky, E B; Levin, A D
Unidade: IF
Subjects: CAMPO MAGNÉTICO, ELÉTRONS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GUSEV, G M et al. Nonlocal transport near the charge neutrality point in a two-dimensional electron-hole system. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: http://arxiv.org/pdf/1205.7070v1.pdf. Acesso em: 20 maio 2024. , 2012
APA
Gusev, G. M., Kvon, Z. D., Mikhailov, N. N., Dvoretsky, S. A., Olshanetsky, E. B., & Levin, A. D. (2012). Nonlocal transport near the charge neutrality point in a two-dimensional electron-hole system. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://arxiv.org/pdf/1205.7070v1.pdf
NLM
Gusev GM, Kvon ZD, Mikhailov NN, Dvoretsky SA, Olshanetsky EB, Levin AD. Nonlocal transport near the charge neutrality point in a two-dimensional electron-hole system [Internet]. 2012 ;[citado 2024 maio 20 ] Available from: http://arxiv.org/pdf/1205.7070v1.pdf
Vancouver
Gusev GM, Kvon ZD, Mikhailov NN, Dvoretsky SA, Olshanetsky EB, Levin AD. Nonlocal transport near the charge neutrality point in a two-dimensional electron-hole system [Internet]. 2012 ;[citado 2024 maio 20 ] Available from: http://arxiv.org/pdf/1205.7070v1.pdf
Artigo de periodico
Transport in disordered two-dimensional topological insulators (2011)
Gusev, G M ; Kvon, Z D; Shegai, O A; Mikhailov, N N; Dvoretsky, S A; Portal, J C
Source: PHYSICAL REVIEW D. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GUSEV, G M et al. Transport in disordered two-dimensional topological insulators. PHYSICAL REVIEW D, v. 84, n. 12, p. 121302, 2011Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.84.121302. Acesso em: 20 maio 2024.
APA
Gusev, G. M., Kvon, Z. D., Shegai, O. A., Mikhailov, N. N., Dvoretsky, S. A., & Portal, J. C. (2011). Transport in disordered two-dimensional topological insulators. PHYSICAL REVIEW D, 84( 12), 121302. doi:10.1103/PhysRevB.84.121302
NLM
Gusev GM, Kvon ZD, Shegai OA, Mikhailov NN, Dvoretsky SA, Portal JC. Transport in disordered two-dimensional topological insulators [Internet]. PHYSICAL REVIEW D. 2011 ;84( 12): 121302.[citado 2024 maio 20 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.84.121302
Vancouver
Gusev GM, Kvon ZD, Shegai OA, Mikhailov NN, Dvoretsky SA, Portal JC. Transport in disordered two-dimensional topological insulators [Internet]. PHYSICAL REVIEW D. 2011 ;84( 12): 121302.[citado 2024 maio 20 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.84.121302
Relatorio tecnico
Transport in disordered two-dimensional topological insulator (2011)
Gusev, G M; Kvon, Z D; Shegai, O A; Portal, J C; Mikhailov, N N; Dvoretsky, S A
Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GUSEV, G M et al. Transport in disordered two-dimensional topological insulator. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: http://arxiv.org/PS_cache/arxiv/pdf/1106/1106.1824v1.pdf. Acesso em: 20 maio 2024. , 2011
APA
Gusev, G. M., Kvon, Z. D., Shegai, O. A., Portal, J. C., Mikhailov, N. N., & Dvoretsky, S. A. (2011). Transport in disordered two-dimensional topological insulator. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://arxiv.org/PS_cache/arxiv/pdf/1106/1106.1824v1.pdf
NLM
Gusev GM, Kvon ZD, Shegai OA, Portal JC, Mikhailov NN, Dvoretsky SA. Transport in disordered two-dimensional topological insulator [Internet]. 2011 ;[citado 2024 maio 20 ] Available from: http://arxiv.org/PS_cache/arxiv/pdf/1106/1106.1824v1.pdf
Vancouver
Gusev GM, Kvon ZD, Shegai OA, Portal JC, Mikhailov NN, Dvoretsky SA. Transport in disordered two-dimensional topological insulator [Internet]. 2011 ;[citado 2024 maio 20 ] Available from: http://arxiv.org/PS_cache/arxiv/pdf/1106/1106.1824v1.pdf

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